- •Київський національний університет імені Тараса Шевченка
- •Аннотация
- •Summary
- •Огляд літературних джерел за темою
- •Розділ 1. Теоретичні дані
- •1.1.Постановка задачі
- •1.2.Детерміністична модель
- •1.3. Енергетичні параметри взаємодії вакансій
- •Розділ 2. Результати
- •Висновки
- •Список використаних джерел
- •Додаток
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Фізичний факультет
Кафедра теоретичної фізики
На правах рукопису
КІНЕТИКА ДИСИПАТИВНОЇ СТРУКТУРИ ВАКАНСІЙНОЇ ПІДСИСТЕМИ В ГЦК-КРИСТАЛАХ ПІД ОПРОМІНЕННЯМ
Напрям: 0701 – фізика
Кваліфікаційна робота бакалавра
студентки 4 курсу
Мусієнко-Шмарьової Галини Юріївни
Науковий керівник
доктор фіз.-мат. наук,
проф. Татаренко Валентин Андрійович
Робота заслухана на засіданні кафедри теоретичної фізики
та рекомендована до захисту на ДЕК,
прот. №_____від______________2014 р.
Завідувач кафедрою проф. Макарець М. В
Київ-2014
ВИТЯГ
з протоколу №___________
засідання Державної екзаменаційної комісії
Визнати, що студент __________________________________ виконав та захистив кваліфікаційну роботу бакалавра з оцінкою _______________________.
Голова ДЕК_____________________
________________ 2014 р.
АНОТАЦІЯ
Мусієнко-Шмарьова Г.Ю. Кінетика дисипативної структури вакансійної підсистеми в ГЦК-кристалах під опроміненням
Кваліфікаційна робота бакалавра за спеціальністю 6.040203 – фізика, спеціалізація "теоретична фізика". — Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет, кафедра теоретичної фізики. — Київ, 2014.
Науковий керівник: д. ф.-м. н., проф. Татаренко В.А.
Розглянуто кінетичну модель впливу зовнішнього шуму, зокрема, неоднорідності густини опроміненого ГЦК-кристалу на утворення дисипативної модульованої структури в просторовому розподілі вакансій. Швидкість генерації точкових дефектів типу вакансій по вузлах і густина їхніх стоків типу дислокацій вважалися незалежними випадковими стаціонарними однорідними полями. На прикладі ГЦК-Ni чисельно передбачено та проаналізовано температурні залежності просторових періодів дисипативної модульованої структури вакансійної підсистеми у ГЦК-кристалі для зазначених випадків із врахуванням сумарної ("електрохімічної"+"деформаційної") взаємодії між вакансіями.
Ключові слова: вакансії, "деформаційна" взаємодія, "електрохімічна" взаємодія, дисипативна структура, модульована структура.
Аннотация
Мусиенко-Шмарёва Г. Ю. Физическая кинетика диссипативной структуры вакансионной подсистемы в ГЦК-кристалах под облучением.
Квалификационная работа бакалавра по специальности 6.040203 – физика, специализация "теоретическая физика". — Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, кафедра теоретической физики. — Киев, 2014.
Научный руководитель: д. ф.-м. н., проф. Татаренко В. А.
Рассмотрена кинетическая модель влияния внешнего шума, в частности, неоднородности плотности облучённого ГЦК-кристала на образование диссипативной модулированной структуры в пространственном распределении вакансий. Скорость генерации точечных дефектов типа вакансий на узлах и плотность их стоков типа дислокаций считались как независимыми случайными стационарными однородными полями. На примере ГЦК-Ni численно предсказаны и проанализированы температурные зависимости пространственных периодов диссипативной модулированной структуры вакансионной подсистемы в ГЦК-кристале для указанных случаев с учётом суммарного ("электрохимического"+"деформационного") взаимодействия между вакансиями.
Ключевые слова: вакансии, "деформационное" взаимодействие, "электрохимическое" взаимодействие, диссипативная структура, модулированная структура.