Технология многослойных печатных плат
..pdfным углем с последующей продувкой паром. Пар вымывает раст ворители из сорбента и переносит их в конденсатор. Разница удельных весов воды и растворителя позволяет завершать и этот процесс регенерации с помощью отстойников. Таким образом, можно извлечь до 9 9 % растворителей из выбрасываемых паров, причем возможно регенерировать до 60 70% растворителей. Потери имеют место в результате частичного разложения раство рителей при десорбции паром.
5.3. ВИДЫ БРАКА ПРИ РАБОТЕ С СПФ
Качество МПП во многом зависит от того, как выполняются операции фотолитографии. Поэтому большое внимание уделяется вопросам выявления причин брака и устранения их (табл. 5.1).
5.4. АДДИТИВНО-СУБСТРАКТИВНЫИ ФОТОРЕЗИСТ СПФ-АС-1
По ТУ 6-17-691. П—83 серийно выпускается СПФ-АС-1, неко торые свойства которого приведены в табл. 5.2.
Фоторезист должен обладать: гальваностойкостью и при тол щине светочувствительного слоя 50 мкм обеспечивать осаждение слоя меди в течение 60 мин из электролита гальванического мед нения с последующим осаждением сплава ОС в течение 20 ... 25 мин без проведения термообработки фоторезиста; химической стойкостью — обеспечивать травление меди травителями на осно ве хлорной меди в течение 4 мин, а также выдерживать обработку
в горячих |
(70° С) |
растворах химического меднения в течение 20 ч. |
||||||||
Установлено, |
что |
применение |
СПФ-АС-1 позволяет получить |
|||||||
проводники |
140... 160 |
мкм. |
Сначала отрабатывался режим |
экс- |
||||||
Т а б л и ц а |
5.2. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Свойства СПФ-АС-1 |
|
|
|
||
|
|
Показатель |
|
|
Норма |
|
|
|||
|
|
|
|
СПФ-АС-1-25 |
I СПФ-АС-1-50 |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Внешний вид |
|
|
|
|
|
Трехслойный, окрашенный |
ма |
|||
|
|
|
|
|
|
|
териал без |
воздушных |
и |
ме |
|
|
|
|
|
|
|
ханических |
включений |
и |
на |
Эффективное |
|
время |
экспонирования че- |
плывов |
25 |
|
|
|||
|
25 |
|
|
|||||||
рез фотошаблон (на |
лампах |
ДРТС- |
|
|
|
|
||||
1000), с, не более |
|
|
|
линию |
100+10 |
125± 12,5 |
|
|
||
Способность |
|
воспроизводить |
|
|
||||||
обеспечивает |
|
получение |
проводников |
|
|
|
|
|||
шириной, мкм |
|
|
|
органических |
4 |
4 |
|
|
||
Остатрчное |
содержание |
|
|
|||||||
растворителей |
в |
светочувствительном |
|
|
|
|
||||
слое, %, не более |
|
|
|
|
|
|
|
|
Установлено, что с увеличением времени проявления ширина проводников увеличивается, тонкие проводники (0,1 мм) смыва ются. При малом времени проявления фоторезист полностью не вымывается с неэкспонированных участков, при времени боль шем 2,5 мин наблюдается вспучивание фоторезиста, особенно на участках повышенной плотности рисунка. При оптимальном вре мени проявления в 1 л и 2%-ного проявителя можно обрабаты вать 0,4 м2 поверхности. Качество проявления изображения прове ряется выборочно на 1—2 заготовках методом подтравливания и 10%-ном растворе персульфата аммония в течение 5...7 с. Подтравливание должно быть равномерным по всей ширине печатно го проводника, медь на проявленных участках должна иметь рав номерную розовую окраску, а защитный рельеф должен быть од нородного цвета по краям и на поверхности заготовки. Для облег чения проверки качества проявления рисунка схемы предложено заготовки плат после проявления окрашивать в водных и спирто вых растворах некоторых красителей. Наиболее эффективным для фоторезиста СПФ-ВЩ-2 оказался водный раствор индикатора ме тилового фиолетового (ТУ6-09-945—76), который окрашивает как фоторезист, так и совсем незначительные его остатки. Для опре деления качества проявления рисунка заготовку ПП или слой МПП после проявления и промывки окрашивает в течение 5...7 с в растворе индикатора метилового фиолетового концентрацией 1... 2 г/л, промывают проточной водой 10... 20 с, сушат фильтро вальной бумагой, а затем осуществляют визуальный контроль без микроскопа. Отсутствие окрашенных участков на пробельных мес тах свидетельствует о качественном проявлении. Снятие этого фо торезиста с пробельных мест осуществляется в 5... 10%-ным рас творе едкого натра, используя установку ГГМ.1.254.001. Установ ка для снятия фоторезиста должна быть оборудована фильтрую щей системой для улавливания пленки фоторезиста из раствора и для очистки раствора. Фоторезист СПФ-ВЩ-2 может быть исполь зован при гальваническом наращивании металлов и сплавов только из кислых растворов.
5.6. ФОТОРЕЗИСТ ЗАЩИТНЫЙ СПФЗ
Разработан и серийно выпускает по ТУ 16-505.049—82 сухой пленочный фоторезист защитный (СПФЗ) для электроизоляцион ной защиты, а также обеспечения защиты поверхности ПП от раз личных загрязнений при монтаже и пайке компонентов и от небла гоприятных воздействий окружающей среды. Кроме того, электро изоляционные свойства защитного покрытия на основе СПФЗ поз воляют отказаться от установки изолирующих прокладок под ком поненты.
В [13] приведены результаты исследования СПФЗ с толщиной светочувствительного слоя 100... 120 мкм, предназначенного для нанесения на ПП с высотой проводников до 80 мкм.