книги / Сборник задач и упражнений по импульсной технике
..pdfродействие ключа возрастает, затем уменьшается, так как Сф не успе вает разряжаться через входное сопротивление еще открытого тран зистора. После закрывания транзистора Сф разряжается через боль шое R v Поэтому емкость конденсатора выбирают оптимальной. 7.41. Для устранения рассасывания необходимо обеспечить перед выключе
нием транзистора ток i$ = |
/gHЗначение требуемого тока базы соста |
||||||||||||||||
вит (по |
7.76) |
/<5Н * |
10/20 |
• 1 |
• 103 * |
о_,5 |
мА. |
Отсюда |
суммарное со |
||||||||
противление |
(/?! + |
R i) |
:/?i + |
R i |
|
U nx/Ifa |
— |
10/0,5 • |
10-3 = 2 0 |
кОм |
|||||||
и |
требуемое |
значение |
R t = |
20 |
103 — 1 |
|
103 ~ |
19 |
кОм. |
Емкость |
|||||||
конденсатора |
Сф по (7.19) |
составит Сфопт в |
3,78 • 10—6/19 • 103 ^ |
||||||||||||||
« |
200 |
пФ. 7.42. |
/а = |
5,4 |
нс; |
*ф = |
0,189 |
мкС; /р = |
0, |
/Ср = |
189 мкс. |
||||||
7.43. |
Превышение |
емкостью |
Сф |
оптимального значения |
приведет |
||||||||||||
к |
тому, |
чю |
Сф не успеет разрядиться |
через |
открытый транзистор |
||||||||||||
до |
его |
запирания. |
Дальнейшая |
разрядка |
будет |
проходить |
через |
||||||||||
большое R v |
что приведет к увеличению времени разрядки и к затяги |
ванию процесса восстановления исходного состояния. 7.44. Длитель
ности фронта и среза |
возрастут /ф |
/ср = 11,34 мкс, время рассасы |
вания не изменится |
(/р = 0), время |
задержки возрастет до 108 нс. |
7.45. Для уменьшения длительности среза выходного напряжения.
7.46. |
Источник £ н. 7.47. Um = 6 |
В; /ср |
= 3,48 |
мкс. |
7.48. |
a) |
Um = |
|||
*= |
10 |
В; |
/ср =»■ 11,34 мкс; б) |
Um — 10 В; |
tcр = |
11,34 |
мкс; |
в) |
Um = |
|
= |
4 В; |
/ср *** 1,93 мкс. 7.49. |
Для |
предотвращения насыщения |
тран |
зистора. 7.50. а) Транзистор войдет в насыщение; б) не войдет в на сыщение. 7.51. Можно, /р = 0. 7.52. а) Появится рассасывание из-за насыщения транзистора; б) /р = 0. 7.53. Появится время рассасыва ния, так как прямое падение напряжения обычного (кремниевого) дио да Unр > (/Кб транзистора. 7.54. Для повышения нагрузочной спо собности и быстродействия. 7.55. При открывании и насыщении тран зистора Т г транзистор Т 3 также насыщается, и емкость нагрузки Сн быстро разряжается коллекторным током Т 3. При этом диод Д обеспе
чивает запирание 712, При запирании транзистора Тг транзистор |
Т 3 |
также запирается, а транзистор Т г отпирается; при этом емкость |
Са |
быстро заряжается эмиттерным током Т 2%7.56. Транзистор Т 3 во вклю ченном состоянии удерживается большим базовым током, который обеспечивается эмиттерной цепью транзистора T v Поэтому Т 3 не вы ходит из насыщения при достаточно большом токе нагрузки.
Транзистор Т 2 во включенном состоянии работает как эмиттерный повторитель. Так как выходное сопротивление эмиттерного повтори теля мало, то выходное напряжение слабее зависит от тока нагрузки и допустимы большие значения нагрузочного тока. 7.57. При переклю чении схемы в течение некоторого времени транзисторы Т 2 и Т 3 ока зываются открытыми. Это приводит к резкому кратковременному воз растанию тока, потребляемого от источника питания и, следователь но, к возни кновению импульсных помех на общей шине питания. Для того чтобы ограничить амплитуду импульсных помех и включается
резистор |
R B. 7.58. Для насыщения транзистор Т г необходимо обеспе |
|
чить i d |
> |
/фц. Ток базы насыщения можно определить через коллек |
торный ток |
насыщения: IQUI « /КН/В. |
|
При открытом транзисторе Тх транзистор Т 3 также открыт, в этом |
случае ток |
коллектора насыщения можно определить следующим об- |
|||||||||
разом: |
|
/кн |
_ |
£ |
- £/|Ш1 — £/бнз |
5 — 0,2 |
0,8 |
= 2,5 |
мА; |
|
|
я , |
|
|
* 1 |
1 , 6 • |
10» |
||||
|
|
|
2,5 |
|
|
|
||||
_ |
. |
|
Лш г |
10— а |
|
|
|
|
||
_ - пи х |
|
|
= 167 мкА. 7.59. а) |
При закрытом |
Г,', |
|||||
тогда /би - |
-g— = |
|
15 |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
141
ток |
резистора R x равен |
току |
базы |
Т 2 |
= |
i$2. |
В |
этом случае |
(см. |
||||||||
гл. 5) при R t = |
B R з транзистор будет находиться на границе насыще |
||||||||||||||||
ния; при |
R 1 C B |
|
R 3 — в насыщении; |
при |
R x > |
В |
R 3 — в активной |
||||||||||
области. |
Так как |
/?х > |
В R 3 (16 |
• |
103 >■ 15 • |
100), |
то транзистор |
Т 2 |
|||||||||
находится в активной области, б) |
При |
насыщенных транзисторах |
Т г и |
||||||||||||||
Т 3 |
напряжение |
между |
базой |
и эмиттером |
Т 2 |
равно |
К(*э = |
^кощ + |
|||||||||
+ |
£/бкнз — ^ д о т = 0,2 + 0,6 — 0 , 8 = 0. |
Так |
|
как |
«бэ 2= |
0, ТО |
|
||||||||||
закрыт. 7.60. Ток |
базы |
Т 3 |
равен |
IQ3 — i31 |
|
|
|
|
Щп |
|
|
||||||
|
|
|
191 - |
ИГ |
|
ток |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
*Э1 |
|
*6i ~г 1"к1 |
|
0,167 |
|
|
|||||
эмиттера |
Т х из |
задачи |
7.58 |
|
|
|
10-3 _|. 2,625 X |
||||||||||
X |
10—3 = |
2,8 мА; |
ток |
резистора |
R 2 |
Inn'Д2 - Цвп |
1 |
0..8Ю* —0 ,8 |
мА, |
||||||||
|
|
//бзо = 22,а8 |
И)Ю--*з——и,й0,8 |
1U10-®-з == 22 |
Rz |
~ |
• |
|
|
|
|||||||
тогда |
мА; |
77.61.61. . U lb\x = |
В |
— |
|||||||||||||
— ^ 6 2 акт — ^дот |
^ — 0,7 — 0,8 = |
3,5 |
В; |
Unux ^ |
^кэн = 0,2 |
|
7.62. Зарядка емкости Сп происходит эмиттерным током транзистора Т 2, находящемся в активном режиме. Выходное сопротивление каска
да на Т2т включенного |
по схеме эмиттерного повторителя, равно R x/B . |
||
Отсюда время зарядки |
R xCn |
1,6 103 ■ 500 • 10“ 13 |
— |
Си /3 » 3 р— = 3 |
15 |
||
|
В |
|
=0,16 мкс. Разрядка емкости происходит коллекторным током Г3.
Так как при открытом Т 3 транзистор Т 2 закрыт, то ток разрядки /р =
= |
/*кз = BtQ3 = |
15 2 |
10~3 = 30 |
мА |
О'оз |
рассчитан |
в задаче |
7.60). |
||||||
Следовательно, ток разрядки емкости Сн |
приблизительно |
постоянен, |
||||||||||||
а |
напряжение |
ппых |
уменьшается |
поэтому |
приблизительно |
по |
||||||||
линейному |
закону. |
Отсюда |
время |
разрядки |
/р |
ц1 |
г |
|
||||||
/из |
|
|||||||||||||
|
|
— У б 2 акт — |
от) £ц _ (5 — 0,7— 0,8) |
|
|
|
||||||||
|
( Е |
• 500 • Ю- I 2 |
|
нс. |
||||||||||
|
|
|
|
|
~ |
|
|
30 * ю - 3 |
|
5S 58 |
||||
7.63. |
250 пФ. |
|
" 7.64. |
|
|
|
7.65. |
По |
||||||
|
Для повышения |
быстродействия |
||||||||||||
трем |
причинам: 1) транзисторы |
работают |
в |
активном |
режиме, |
что |
исключает задержку фронта и рассасывание; 2) перепады входного и выходного напряжения незначительны, что приводит к меньшему вре мени перезарядки паразитных емкостей; 3) транзисторы включены по
схеме ОБ, что дает та С |
т^. 7.66. а) |
При наличии на выходе высокого |
||||
уровня U1 = |
4,3 В транзистор Т х открыт, эмиттерный ток этого тран |
|||||
зистора создает на резисторе R падение напряжения |
= |
U1 — ^бэа = |
||||
= 4,3 — 0,7 = 3 , 6 В. |
Напряжение |
между |
базой |
и |
эмиттером Т 2 |
|
«бэз |
■ = 3,9 — 3,6 = 0,3 |
В. Это |
напряжение |
недостаточно |
для открывания 7\>, поэтому он закрыт, б) При входном напряжении
ивх = |
U0 = 3,5 В |
транзистор Т 2 открыт, |
напряжение на резисторе R |
||||||||
и # — |
Е 0 — U бэа = |
3,9 — 0,7 = |
3,2 |
В. |
Напряжение |
между |
базой |
||||
и |
эмиттером транзистора Т г пСэ1 = |
U0 — и# = 3,5 — 3,2 = |
0,3 |
В, |
|||||||
поэтому он закрыт. 7.67. а) 3,6 В; б) |
3,2 В. 7.68. 4,1 |
В. |
7.69. |
U1 = |
|||||||
= |
5 В; L/0 = 4,24 |
В. 7.70. /ф « |
/ср = 0,35 |
нс. 7.71. |
Транзистор |
Т 3 |
|||||
с элементами схемы R lt R.Zi R 3 (рис. 7.7, б) |
образует |
генератор тока, |
|||||||||
обеспечивающий постоянным ток |
/ 0. |
7.72. |
2,7 мА. 7.73. |
U 1 = |
5,2 |
В; |
|||||
U 0 = |
4,4 В. 7.74. На появлении наведенного канала проводимости под |
||||||||||
действием внешнего напряжения. 7.75. При и3и = 0 |
канал проводи |
мости отсутствует. 7.76. Напряжение на затворе, при котором обра зуется канал. 7.77. Под действием разности потенциалов между стоком и истоком в канале транзистора протекает определенный ток стока / с . При увеличении « с ток / с будет увеличиваться, так как увеличивается
142
электрическое поле вдоль канала, но одновременно нс будет компенси ровать напряжение, приложенное к затвору, что вызовет уменьшение толщины канала около стока, т. е. уменьшение его проводимости. Дальнейшее увеличение ис приводит к перекрытию канала, уменьше нию его длины и изменению сопротивления по нелинейному закону, что приводит к постоянству тока. 7.78. Явление уменьшения до нуля толщины канала около сгока. 7.79. Напряжение сток—исток, при ко тором происходит перекрытие канала, называется напряжением насы
щения |
|1/н1 = |
|
|нзи[ — |t/n0p|. 7.80. |
а) Так как |
входное |
напряжение |
|||||||
меньше |
порогового, |
ипк < |
0 пОр, то |
транзистор |
закрыт, |
б) |
Рабочая |
||||||
точка находится на |
границе насыщения, так как нск — UR = |
|«DX| — |
|||||||||||
— I^nopl = 15 — 5 = |
10 В. |
в) Рабочая точка |
находится на |
крутом |
|||||||||
участке ВАХ, так как ис„ < |
Un\ UH = 20 — 5 = |
15 В. 7.81. а) Тран |
|||||||||||
зистор |
закрыт, |
«цых ~ |
20 В; б) рабочая точка находится |
на |
пологом |
||||||||
участке, н1!ЫХ |
79 16 |
В; |
в) рабочая точка находится на крутом участке, |
||||||||||
нвых ~ |
£ |
В. |
7,82. а) |
3,5 |
В; |
б) |
1,4 В. 7.83. 1,1 |
В. 7.84. |
Уменьшится |
||||
до 6,45 В, |
7.85. |
2,5 |
кОм. |
7.86. |
Входное сопротивление транзистора в |
закрытом и открытом состояниях велико, так как затвор отделен от истока и стока диэлектриком. 7.87. Для уменьшения остаточного на
пряжения. |
7.88. Так как для транзистора Т 2 «с = |
н3, то в случаях а) |
|||||||||||||||||||
и |
б) |
|ис| |
> |
|u3| |
— |(/110р|. |
Поэтому |
транзистор |
Т2 работает на |
поло |
||||||||||||
гом |
участке |
(в |
насыщении). |
|
7.89. |
На |
пологом |
участке. |
7.90. |
||||||||||||
По |
(7.27) |
нвых = |
15 — 5 = |
10 |
В. |
7.91. По (7.29) ивыхwBHT = |
U0CT = |
||||||||||||||
|
0,005 |
|
Ю-з (9 _ |
5) |
|
25 мВ. 7.92. При закрытом |
Тг |
I |
0; при |
||||||||||||
|
2 |
• 0 , |
Ю-з (д _ |
5 ) = |
|||||||||||||||||
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
по |
(7.30): |
|
Iсп |
||||
открытом Ту потребляемый ток определяется |
|
|
|||||||||||||||||||
|
0,005 |
10 —3 |
(9 _ |
5)2 |
■ 40 |
мкА. |
7.93. Для |
уменьшения |
остаточ |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
ного |
напряжения, |
уменьшения |
потребляемой мощности и для обеспе |
||||||||||||||||||
чения высокого уровня аВЫх ~ |
|
^к* 7.94. При входном напряжении |
|||||||||||||||||||
ивх — 0 |
пзп? = |
—Е с. |
Значит, |
|
/г-канальный |
транзистор |
7\ |
закрыт, |
|||||||||||||
а р-канальный транзистор Т2 |
открыт. |
Ток в общей |
цепи |
определя |
|||||||||||||||||
ется |
запертым |
транзистором |
Ту |
|
и |
составляет значение / ост; |
откры |
||||||||||||||
тый |
Т 2 находится |
на |
крутом |
участке |
ВАХ. |
7.95. |
По |
(7.30) |
нСП2 = |
||||||||||||
= |
|
|
10“ 9 |
|
|
— 2,5 |
мкВ. |
7.96. 9 В. |
7.97. Транзистор |
Ту от- |
|||||||||||
---------------------- |
|||||||||||||||||||||
|
c. 1 |
ю-з(9 — 5) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
к |
Ю-з |
|
|
|||||
крыт, |
— закрыт. 7.98. По (7.31) ипых —U0CT у = |
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
= |
2,5 мкВ. |
7.99. Так |
как |
при |
открытом одном |
транзисторе |
другой |
||||||||||||||
закрыт. 7.100. Если |
напряжение питания £ с |
превышает сумму поро |
говых напряжений обоих транзисторов, то появляется интервал управ
ляющих сигналов, в котором оба транзистора |
открыты. Это приведет |
|
к возрастанию потребляемого тока. |
7.101. 1,84 мкс. 7.102. Длитель |
|
ность фронта определяется зарядкой |
емкости |
С0 через резистор R&. |
Длительность среза определяется разрядкой той же емкости, но через выходное сопротивление открытого транзистора, которое меньше # с. 7.103. Фронт формируется во время зарядки емкости С„ и его дли тельность определяется постоянной времени зарядки т3 = С0Яс; срез формируется при разрядке емкости С0 током стока /с, значение которого зависит от входного напряжения £ 3: чем больше £ 3, тем боль ше / с и тем меньше /ср. 7.104. /ф я» 22 мкс; /ср » 0,73 мкс. 7.105. /ф =
— /ср « 0,81 мкс. 7.106. Потому, что зарядка емкости С3 происходит через нелинейное выходное сопротивление транзистора Г 2, что приво дит к более медленному процессу заряда.
143
ГЛАВА 8
ТРАНЗИСТОРНЫЕ ТРИ ГГЕРЫ
§8.1. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ
ИРАСЧЕТНЫЕ СООТНОШЕНИЯ
Вглаве собраны задачи по триггерам, построенным на ос нове ключей, рассмотренных в гл. 7.
Основной схемой является симметричный насыщенный триг гер с коллекторно-базовыми связями (рис. 8 .1 , 8 .2 ), представ ляющий собой два ключа, нагруженные друг на друга. Для
нормальной работы схемы необходимо выполнить три усло
с
иВы
j
Рис. 8.1
вия: закрытого и открытого состояний транзисторов и лавино образного переключения. Условие закрытого состояния аналогично ключам
в схеме рис. 8 . 1
(8. 1)
в схеме рис. 8 . 2
U° + I R < U dov, |
(8 .1 а) |
KO X |
*где U0— напряжение на насыщенном транзисторе. Условие открытого состояния в схеме рис. 8 . 1
(8.2)
BR m
в схеме рис. 8 .2 .
(8.3)
RK2~\~RI BRKI
144
Условие лавинообразного переключения имеет вид |
|
К = B R ,;/(/?! + /?«)> 1. |
(8.4) |
При переключении триггер проходит четыре стадии: рас сасывания (tp), подготовки (г'п), опрокидывания (регенерации)
и установления (ty):
tp rti Ха (S |
1); |
(8.5) |
||
tn» та - ^ |
6 з1 |
« (0 , 1 |
-i- 0 ,2 ) та; |
(8 .6 ) |
‘ m |
зап |
|
|
|
|
t0 « |
Та, |
|
|
где £/0з — напряжение на базе закрытого транзистора; Imaaa— амплитуда тока запускающего импульса.
Процесс установления напряжений происходит одновре менно и включает установление напряжений на коллекторах закрывшегося и открывшегося транзисторов и на базе закрыв шегося транзистора. Длительность установления напряжения на коллекторах транзисторов
закрывшегося
Л,уэ ~ ЗТзар « |
З С |
Ri Як |
(8.7) |
RI + RK |
|
||
открывшегося |
|
l |
|
t.уо « т с 1п |
|
(8.7a) |
|
|
i |
||
1 |
— |
|
|
1 —1t/6 a \/Eu |
|
||
|
Тс |
|
где
т —Г RHRl
тс — ь RX+R I
на базе закрывающегося транзистора
145
для схемы рис. 8 . 1
^уо ^ 8 |
С |
Ri *« |
(8.76) |
|
Ri~rR2 |
||||
|
||||
для схемы рис. 8 . 2 |
|
|
|
|
tУб |
|
3 С/?,. |
(8.7в) |
Продолжительность стадии установления определяется большей из рассмотренных длительностей. Минимально допу стимый интервал между запускающими импульсами опреде ляет разрешающую способность
о+ триггера
|
|
^разр — ^р |
tn ~Ь А> + |
ty. |
(8.8) |
|||
|
|
Это |
время |
определяет |
макси |
|||
|
|
мальную частоту |
переключений |
|||||
|
|
(быстродействие) |
триггера |
|
||||
о—II |
t |<] |
|
|
|
р а з р - |
|
(8.9) |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Аг.7 |
-1- |
Различают три |
способа |
за |
||||
|
|
|||||||
|
|
пуска триггеров: |
несимметрич- |
|||||
|
рпс 8 з |
ный |
по одной базе (или коллек |
|||||
|
|
тору) (рис. 8.3 — вход 3), несим |
||||||
метричный по двум базам (или |
коллекторам) |
(рис. 8.3 — |
||||||
входы 1 и 2), симметричный (счетный) по базам |
(или коллек |
|||||||
торам) |
(рис. 8.4). |
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 8.4
146
В импульсной и цифровой технике широко применяются модификации основной схемы триггера. Схема с автоматичес ким смещением (рис. 8.5) применяется тогда, когда нет отдель ного источника смещения Есм или требуется сохранить работо способность в широком диапазоне изменения питающего на пряжения. Напряжение-смещения, обеспечивающее запирание
одного из транзисторов в статическом состоянии, получается за счет падения напряжения на Rs от тока эмиттера открытого транзистора:
^СМ |
— Е |
Rп |
(8. 10) |
|
Л8+ /?к |
||||
|
|
|
Схема с нелинейной отрицательной обратной связью (рис. 8 .6 ) построена на базе ключей с нелинейной ООС (см. рис. 7.5) и имеет большее быстродействие (по сравнению со схемой рис. 8 .2 ) и повышенную чувствительность к запускающим им пульсам. Быстродействие высокое, так как исключена стадия рассасывания ip. Чувствительность повышена из-за отсутствия затрат энергии запускающего импульса на рассасывание избыточного объемного заряда
носителей в базе.
Схема с фиксацией коллек торного напряжения закры того транзистора с помощью диодов (рис. 8.7) построена на основе ключей (см. рис. 7.4) и применяется для увели чения нагрузочной способно сти триггера и уменьшения времени установления.
147
Схема с дополнительными транзисторами и непосредствен ными связями (рис. 8 .8 ) обладает повышенной чувствительно стью запуска и широко применяется в ряде серий интеграль
ных микросхем. Условие |
закрытого состояния, транзистора |
(8 .1 а) выполняется, если |
падение напряжения на насыщен |
ном транзисторе ( / „ < f/nop, Что выполняется для кремние вых транзисторов.
Условие открытого состояния транзистора заключается в
обеспечении £б > / вн. При открытом 7 \ |
ток |
базы i61« (Ек— |
|
— 1^ о т 1У#к2 . а ток |
базы насыщения |
/ бв = |
E JB R K. Отсю |
да следует, что t61« |
В /бн и транзистор находится в глубоком |
||
насыщении. |
|
|
|
Запуск триггера осуществляется через дополнительные транзисторы Т 3 и Т4, которые при отсутствии запускающих импульсов закрыты и влияния на работу схемы не оказывают. Если Тг закрыт, а ^отк ры т, то наличие отпирающего импуль са на первом входе Вхх приведет к открыванию Т 3, положи тельный потенциал коллектора Тх уменьшится до U п> что при
ведет к запиранию Г 2 и отпиранию Tlt т. е. переключению схе мы.
148
Схема н е с и м м е т р и ч н о г о |
т р и г г е р а |
с |
|
э м и т т е р н о й с в я з ь ю ( т р и г г е р |
Ш м и т т а ) |
(рис. 8.9) применяется для формирования прямоугольных им пульсов из синусоидального напряжения как пороговое уст ройство, реагирующее на определенный уровень сигнала, для запоминания полярности входного сигнала и т. д. Триггер име ет два устойчивых состояния: в первом — Ту закрыт, а Тг от крыт и насыщен; во втором — Ту открыт, а Тг закрыт. В пер
вом состоянии Т 2 открыт, так как резисторы НК1 и Rxобеспе чивают /б2 > /бп2. Ток эмиттера Тйсоздает на R a падение на пряжения
Напряжение |
КЭ2 = /эгЯэ- |
(811) |
|
|
|
|
|
ы0э1 |
& Нд2 |
Ц)2 — U см |
(8. 12) |
где и сгл— Д.( ^ДЗ |
ц |
_ EKRB |
|
RJU~\~RR3 |
|
|
|
Если |«эа| > |£ /см|, то Ту закрыт.. При подаче на вход импуль са положительной полярности с амплитудой
^ т + ^ ^ с м ^э2 (8,13)
триггер переключится и перейдет во второе устойчивое состоя ние. Транзистор Ту будет в открытом состоянии, если
|
|
ибЛ ^см ^з! |
^пор |
(8.14) |
где |
“ □1 = |
Ен Да < |
|
|
|
|
|
||
|
Для нормальной работы триггера выбирают Rltl > |
|
||
поэтому Ой > ыо1. Транзистор Г а |
будет закрыт, так |
как |
% э2 ^ ^ K U l < С и В О Р ’
149
Для |
переключения |
триггера |
необходимо |
подать |
им |
пульс |
отрицательной |
полярности |
с !£/т _| > |
|(/см| — |
|ыэ1| |
(рис. 8.9, б). |
|
|
|
|
Если на вход триггера подавать синусоидальное напряже
ние, то на выходе появятся |
прямоугольные импульсы, |
при |
|||||||||||
|
|
|
|
чем фронт будет |
иметь |
место при |
|||||||
|
|
|
|
достижении входным напряжением |
|||||||||
|
|
|
|
уровня |
срабатывания |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
^вх+ |
^ с р = |
|
^см "Ь ^пор> |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(8.15) |
|
|
|
|
|
а срез — при достижении иах уров |
|||||||||
|
|
|
|
ня отпускания |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
^пх—“ |
^отв ~ |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
H t 'c M l- K ilH t 'n o p I - |
(8.16) |
|||||||
|
|
|
|
|
|
Триггер Шмитта |
на основе пе |
||||||
|
|
|
|
реключателя |
тока |
представлен |
на |
||||||
|
|
|
|
рис. 8.10. Принцип |
действия |
схе |
|||||||
|
|
|
|
мы |
аналогичен |
действию схемы |
|||||||
рис. 8.9, а. |
Функцию |
резистора |
Ra выполняет |
генератор |
|||||||||
тока, |
собранный |
на транзисторе |
Т 3 с |
использованием |
R4. |
||||||||
Такое |
включение |
позволяет |
увеличить |
сопротивление |
в |
це |
|||||||
пи эмиттера, |
не |
меняя |
токи |
/ э1 |
и / а2. Резистор |
R2 схемы |
рис. 8.9 в триггере на основе переключателя тока составлен ре зисторами R2, R з и транзистором Т4 в диодном включении. Транзистор Т4 стабилизирует напряжение между базой и эмит тером Т 3, изменяющееся под действием температуры.
Пороги срабатывания и отпускания этой схемы определя ются
U,ср ‘ |
Да + Да , |
(8.17) |
|
ДН-Яа + Дз' |
|
и отп » |
ЯаЧ-Яз |
(8.18) |
«К01 ДаЧ- Д-Ч- Дз |
150