Учебное пособие 1954
.pdfки, допущенные при проектировании или разработке технологического процесса изготовления, дефекты процесса производства, нарушение норм эксплуатации и хранения, а также естественные процессы старения. Основными причинами отказов являются дефекты вносимые в процессе производства (примерно 90 ) и в результате нарушения правил эксплуатации (примерно 10 ).
В группе дефектов, возникающих в процессе производства, примерно 50 составляют некачественные соединения, в том числе пленочные, контактные (на границе проводников, выполненных из различных материалов или различающихся конструктивно), а также проволочные и др. Наиболее часто дефекты образуются в местах контактных соединений в результате, например, некачественно проведенных операций термокомпрессии, пайки или сварки. Помимо некачественных соединений наиболее характерными для МСБ являются дефекты, обусловленные присутствием навесных компонентов. Это объясняется не только дополнительным количеством вносимых ими соединений, но и дефектами, связанными с их некачественным закреплением на платах МСБ.
Наиболее часто используемым показателем надежности микросхем является интенсивность отказов , измеряемая относительным числом отказов в час. Как правило, для периода нормальной эксплуатации или хранения интенсивность отказов принимается постоянной, то есть = const.
Вероятность того, что за время t не произойдет отказа ИМС, называется вероятностью безотказной работы p, которая связана с интенсивностью отказов соотношением p = exp( - t). Физический смысл вероятности безотказной работы сводится к ожидаемому количеству микросхем, которые могут безотказно работать в течении времени t. Средняя наработка до отказа представляет собой величину, обратную интенсивности отказов: tср = 1/ .
Если микросхема проработает время t = tср то вероятность ее безотказной работы составит лишь p 0,37. Другими словами, средняя наработка до отказа должна быть намного больше заданного времени безотказной работы микросхемы. Например, для полупроводниковой ИС с заданным временем безотказной работы t = 105ч (приблизительно 10 лет) и интенсивностью отказов = 10-7 ч-1 среднее время наработки на отказ составляет tср = 107ч, а вероятность безотказной работы p = 0.99. Интенсивность отказов микросхем в настоящее время составляет = 10-7- 10-8 ч.
МСБ по сравнению с полупроводниковыми МС имеют меньшую надежность, в особенности МСБ с навесными компонентами, снабженными гибкими проволочными выводами. Несколько выше надежность МСБ, содержащих компоненты с шариковыми (столбиковыми) или балочными выводами. Интенсивность отказов представляют в виде суммы интенсивностей95 отказов элементов, компонентов и соединений:
гис= |
Nn |
ni + |
тNтaт + дNдaд + RNRaR + cNcac + |
Nкомп |
i=1 |
j=1 комп j + |
|||
соед [ 3Nт + 2(Nт + NR + Nc) + Nnnn + Nкомп nкомп], |
|
|||
где n, т, |
д, |
R, с, |
комп, соед – интенсивности отказов бескорпусных |
полупроводниковых ИС, транзисторов, диодов, пленочных резисторов, конденсаторов, пассивных навесных компонентов и соединений соответственно; Nn, Nт, Nд, NR, Nс, Nкомп – количество бескорпусных полупроводниковых ИС, транзисторов, диодов, пленочных резисторов, конденсаторов и пассивных навесных компонентов соответственно; nn, nкомп – количество выводов бескорпусных полупроводниковых ИС и пассивных навесных компонентов; aт, aд, aR, aс – коэффициенты режимов работы (температурные коэффициенты) транзисторов, диодов, пленочных резисторов и конденсаторов соответственно.
Для расчетов рекомендуется принимать табличные значения интенсивностей отказов, приведенные в табл. 5.2.
Таблица 5.2 - Интенсивность отказов активных компонентов и пленочных элементов.
Интенсивность отка- |
т |
д |
R |
с |
соед |
зов. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Типичное значение, |
10-8 |
0.5* |
10-9 |
0.5* |
10-9 |
ч-1 |
|
10-8 |
|
10-8 |
|
Интенсивность отказов пассивных навесных компонентов зависит от типа компонента (табл. 5.3).
Таблица 5.3 - Интенсивность отказов навесных пассивных компонентов.
Тип компонента |
комп, ч-1 |
|
|
Постоянные резисторы |
10-8 |
|
|
Переменные резисторы |
10-7 |
|
|
Керамические конденсаторы |
10-8 |
Электролитические конденсаторы |
10-8 |
|
|
Катушки индуктивности |
10-5 |
Коэффициенты режима работы зависят от температуры, их рекомендуемые значения приведены в табл. 5.4.
Таблица 5.4 - Значения коэффициентов режима работы.
Коэф- |
|
|
Температура, С |
|
|
||
фициент |
|
|
|
|
|
|
|
режима |
|
|
|
|
|
|
|
20 |
30 |
40 |
50 |
60 |
70 |
80 |
|
работы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ат |
1.0 |
1.35 |
1.85 |
2.6 |
3.6 |
4.9 |
6.2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
ад |
1.0 |
1.27 |
1.68 |
2.0 |
2.6 |
3.4 |
4.1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
аR |
1.0 |
1.15 |
1.40 |
1.95 |
2.80 |
3.5 |
4.4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
ас |
1.0 |
1.26 |
1.71 |
2.20 |
2.35 |
5.7 |
12.4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Как видно из табл. 5.4, пленочные конденсаторы имеют пониженную надежность при высокой температуре. Это объясняется ускорением процессов миграции атомов материалов обкладок по микродефектам в диэлектрике, что приводят к повышению токов утечки или к пробою.
6 СТАТИСТИЧЕСКАЯ97ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ МИКРОСХЕМЫ И РАСЧЕТ ПРОЦЕНТА ВЫХОДА ГОДНЫХ
Наиболее эффективным численным методом статистического анализа и оптимизации параметров микросхем является метод, статистических испытаний (метод Монте-Карло), основанный на многократном математическом моделировании на ЭВМ числовых значений параметров элементов и компонентов МСБ по законам распределения элементов и компонентов с учетом корреляционных связей между ними и последующем вычислении при каждом моделировании соответствующих значений всех статистических характеристик выходных параметров МСБ. При этом оптимизация параметров микросхе-
мы заключается в достижении максимального значения процента выхода годных МСБ для соответствующего значения выходного параметра и в заданных пределах его допусков путем варьирования наиболее чувствительных к изменению выходного параметра номинальных значений параметров пассивных элементов и компонентов микросхемы.
Результатом статистического анализа и оптимизации является возможность прогнозирования максимального значения процента выхода микросхем на этапе схемотехнического проектирования с использованием методов и технических средств САПР.
Подробное изложение дачных вопросов содержится в учебном пособии /9/. Поэтому при необходимости статистической оптимизации параметров проектируемых в курсовом проекте МСБ необходимо обратиться к теоретическому материалу и программному обеспечению САПР, которые приведены в /9/ .
7 ОФОРМЛЕНИЕ КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕТАЦИИ.
В процессе разработки МСБ выпускается комплект конструкторской документации (КД), которая необходима для организации производства и последующего применения ГИС. Обычно в основной комплект КД входят: спецификация, сборочный чертеж, схема электрическая принципиальная, топологический чертеж платы и чертежи слоев, чертежи корпуса, частные технические условия (ЧТУ), этикетка.
Спецификация составляется в соответствии с ГОСТ 2.108-68. Сборочный чертеж оформляется по общим правилам, установленным ГОСТ 2.109-73, ОСТ 4Г0.010.043, и должен содержать достаточное число видов, проекций, сечений и разрезов для того, чтобы показать взаимное расположение всех составных частей микросхемы
и способы их закрепления. В технических требованиях, приводимых на сборочном чертеже, должны содержаться сведения о сборке, окраске, маркировке изделия и ссылки на документы, регламентирующие характеристики микросхемы и способы их измерения. На. поле чертежа помещают таблицу с указанием координат мест установки компонентов; (допускается погрешность установки 0,1 - 0,5 мм).
Схема электрическая принципиальная выполняется в соответствии с ГОСТ 2.701-84. 2.702-75. 2.708-8l, 2.721-74, 2.728-74, 2.730-73, 2.743-
82. На схеме изображаются а виде условных графических обозначений элементы, компоненты и выводы корпуса МСБ. Нумерация выводов должна соответствовать принятой на сборочном чертеже, каждому элементу схемы присваивается буквенно-цифровое позиционное обозначение. Последовательность присвоения порядковых номеров позиционным обозначениям должна соответствовать последовательности расположения условных графических обозначений элементов и компонентов на схеме, считая сверху вниз в направлении слева направо. Все элементы и компоненты вносятся в перечень элементов, располагаемых на поле схемы. Последовательность записи в перечень определяется ГОСТ 2.702-75. Для элементов в графе "Обозначение" ставится прочерк, в графу "Наименование” вписывают наименование элемента, номинал основного параметра и допуск, максимальную мощность рассеяния для резисторов или максимальное рабочее напряжение для конденсаторов99 . В графу "Примечание" следует вписывать обозначение чертежа платы, в которую входит данный элемент. Для компонентов в графу "Наименование" вписывают наименование компонента и обозначение стандарта или технических условий на данный компонент. Если компонент применяется по спецификации или чертежу (например, субплата с комплексом однотипных пленочных элементов), то в графе "Обозначение" записывают обозначение основного конструкторского документа на данный комплекс.
Топологический чертеж платы выполняется в соответствии с ГОСТ 2.417-78 в масштабах, кратных десяти (то есть 10 : I, 20 : I). Чертежу присваивается наименование "Плата" и обозначение с десятичной характеристикой: 7.100 или 7.107. В графе 3 основной надписи указывается материал подложки или обозначение чертежа заго-
товки подложки (десятичная характеристика 7.610). Топографические чертежи платы следует, как правило, выполнять на нескольких листах. На первом листе изображается плата со всеми нанесенными слоями с указанием позиционных обозначений элементов; на последующих листах помещается изображение каждого слоя. На каждый слой на первом листе чертежа наносят условное обозначение слоя в виде штриховки (рис. 7.1). На изображении контактных площадок на первом листе должны быть проставлены их номера. Нумерация внешних контактных площадок должна соответствовать нумерации выводов корпуса. Соответствие должно сохраняться и в том случае, когда используются не все выводы корпуса. Нумерация внутренних контактных площадок, служащих для подключения выводов компонентов и для контроля параметров элементов, должна являться продолжением нумерации внешних площадок; порядок нумерации - снизу вверх в направлении слева направо, если первая площадка расположена в левом нижнем углу платы.
В поле чертежа платы в виде таблицы помещаются номинальные данные и значения по разбросу параметров элементов с указанием номеров контактных площадок для подключения измерительных приборов а также таблица с перечнем пленочных слоев, используемых в них. материалов, ТУ или Государственных стандартов на эти материалы н параметров материалов слоев. В поле чертежа платы приводятся также требования по изготовлению платы.
Конфигурация элементов каждого слоя платы и их размеры приводятся на последующих листах чертежа. Задание размеров рекомендуется производить координатными методами. В этом случае вершины элементов нумеруются в пределах одного листа сквозной нумерацией, причем нумерацию каждого элемента следует начинать от нижней левой вершины и продолжать по часовой стрелке. Переход от элемента к элементу при нумерации осуществляется от нижнего левого угла. снизу вверх по направлению слева направо. В таблицах следует отделять жирной линией координаты, относящиеся к разным элементам. Не последующих листах могут помещаться специфические технические требования, относящиеся только к данному слою. Нумерация пунктов таких требований должна продолжать нумерацию пунктов на первом листе чертежа платы.
В комплект КД на МСБ входит также документация на корпус, которая содержит чертежи общего вида и чертежи узлов и деталей. На чертеже общего вида указываются присоединительные и габаритные размеры до и после герметизации, а также условная нумерация выводов. В технических требованиях на поле чертежа общего вида указываются метод герметизации, технические условия на корпус и частные требования; на этом же чертеже помещается сводная спецификация.
КД на МСБ должна соответствовать ЕСКД. Пример оформления КД
приведен в приложении Д. |
. |
Процесс комплексной |
автоматизации конструирования МСБ |
охватывает и заключительный этап – разработку конструкторской документации. Конструкторская документация (КД) на микросхемы, разработанная автоматизированным способом, в принципе может не отличаться от обычной "ручной" КД. Современные графопостроители и устройства печати ЭВМ обеспечивает получение любых графических и текстовых КД в формах, регламентируемых стандартами. Исключение составляют непринципиальные различия в шрифтах, ин-
тервалах, начертаниях некоторых условных графических обозначе-
ний.
101
Необходимо учитывать следующие тенденции: в производстве интегральных микросхем наблюдается снижение информационной роли чертежей и возрастание роли управляющих программ для автоматизированного изготовления оригиналов и фoтoшаблoнoв слоев; графопостроители, координатографы хорошо приспособлены к воспроизведению графической информации и менее эффективны при воспроизведении путем "рисования" на поле чертежа больших объемов текстовой информации; вследствие автоматизации процессов изготовления фотошаблонов отпадает необходимость в таблицах координат, изображающих слои ГИС, информация автоматически заносится на какой либо носитель, т.е. перфоленту, магнитную ленту, магнитный диск. Поэтому существует особенности оформления конструкторской документации на ГИС: включение в состав КД различных носителей информации (перфолент, магнитных лент, содержащих управляющие программ координатографов и генераторов изо-
бражений); ликвидация чертежей слоев ГИС; устранение обширных текстов с поля чертежа на отдельные форматы.
С помощью аппаратурно-программных средств можно получать несколько видов графических и текстовых КД. Схемы электрические принципиальные, чертежи кристалла, платы, слоев, сборочные чертежи вычерчиваются на графопостроителях в соответствии с информацией, сформированной в процессе автоматического конструирования ГИС. Если необходимо микрофильмировать графические КД, можно воспользоваться устройствами вывода графической информации на микрофильм. Управляющие программы координатографов и генераторов изображений формируются на ЭВМ и записываются на магнитные носители с помощью трансляторов. Фотошаблоны изготавливаются на технологических автоматах (координатографах, генераторах изображений) согласно информации управляющих программ. Текстовые документы формируются в автоматическом или полуавтоматическом режиме, печатаются на устройствах быстрой печати ЭВМ или выводятся на микрофильм.
Рисунок 7.1 - Условное обозначение пленочных слоев.
Таблица 7.1 - Марки (ГОСТ, ТУ) материалов пленочных слоев.
Наименование |
Материал слоя |
|
|
|
|
слоя |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Наименование, |
ГОСТ, ТУ |
|
||
|
марка |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Резисторы |
Нихром Х20Н80 |
|
ГОСТ 1276-67 |
|
|
|
Хром Х0 |
|
ГОСТ 5905-51 |
|
|
|
Тантал ТВУ, |
|
|
|
|
|
РЭТУ 1244-67 |
|
СУ0.021.041 ТУ |
|
|
|
Сплав МЛТ-3М |
|
ЕК0.028005 ТУ |
|
|
|
Кермет К-50С |
|
ЕГ0.021.013 ТУ |
|
|
|
Сплав РС-3001 |
|
ЕГ0.021.019 ТУ |
|
|
|
Сплав РС-3710 |
|
ЕГ0.021.034 ТУ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Окончани таблицы 7.1 |
|
|
|
|
|
||
Контактные площадки |
Нихром Х20Н80 |
|
ГОСТ 1276-67 |
|
|
|
Медь МВ |
|
МРТУ 14,14-42-65 |
|
|
|
Никель |
|
МРТУ 14-42-65 |
|
|
|
Серебро СР 999,9 |
|
ГОСТ 6836-64 |
|
|
|
Алюминий А-99 |
|
ГОСТ 11060-64 |
|
|
|
Золото Зл. 999,9 |
|
ГОСТ 6836-56 |
|
|
Защитный слой |
Моноокись крем- |
К0.028.004 ТУ |
|
||
|
ния |
|
|
|
|
|
ИКС-24 |
|
РМ0.1096-61 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Проводники, нижние |
Алюминий А-91 |
|
ГОСТ 4784-65 |
|
|
обкладки конденсато- |
Алюминий А-99 |
|
ГОСТ 11060-64 |
|
|
ров |
|
|
|
|
|
Диэлектрик |
Моноокись крем- |
К0.028.004 ТУ |
|
||
|
ния |
|
|
|
|
|
Моноокись герма- |
ЕГ0.021.001 ТУ |
|
||
|
ния |
|
|
|
|
Трехсернистая |
МРТУ6-09-2858-66 |
|
сурьма |
|
Проводники, верхние |
Алюминий АД-1 |
ГОСТ 4784-65 |
обкладки конденсато- |
|
|
ров |
Алюминий А-99 |
ГОСТ 11060-64 |
|
||
|
|
|
104
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1.Крюков Ю.Г. Курсовое проектирование по конструированию гибридных интегральных схем. Воронеж: Учеб.пособие. –Воронеж: ВПИ, 1982. –83 с.
2.Курсовое проектирование. Организация, порядок проведения, оформление расчетно-пояснительной записки и графической части. СТП ВорПИ 001-85. 26 с.
3.Расчет статического режима гибридных интегральных схем. /Сост. Ю.Г. Крюков, В.М. Шишкин, А.Б. Кирпичев; ВорПИ. Воронеж, 1989.
4.Автоматизированное проектирование пленочных элементов гибридных интегральных схем и микросборок. /Сост. Ю.Г. Крюков, В.М. Шишкин; ВорПИ. Воронеж, 1990.
5.Автоматизированное проектирование пленочных контактов, микроиндуктивностей и RC-структур гибридных интегральных схем. /Сост. Ю.Г. Крюков, Л.Н. Никитин; ВорПИ. Воронеж, 1991.
6.Ермолаев Ю.П., Пономарев М.Ф., Крюков Ю.Г. Конструкции и технология микросхем./(ГИС и БГИС); Под ред. Ю.П. Ермолаева: Учебник для вузов.-М.: Сов.радио, 1980.
–256 с.
7.Микросхемы интегральные. Корпуса. Типы и размеры.
ГОСТ 17467-72.
8.Крюков Ю.Г. Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров: Учеб.пособие. –Воронеж: ВПИ, 1991.
–с. 22-30.
9.Крюков Ю.Г. Шишкин В.М. Вероятностные характеристики и статистическая оптимизация параметров гибридных интегральных схем: Учеб.пособие. –Воронеж: ВПИ,
1988. – 71 с.
105
ПРИЛОЖЕНИЕ А
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Воронежский государственный технический университет
Кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА К курсовому проекту по учебной дисциплине “Конструирование и
технология микросхем и микропроцессоров”
Студент группы (№ группы ) (Ф. И.О.)
Руководитель проекта
(должность, Ф.И.О.)
(год)
ПРИЛОЖЕНИЕ Б
Воронежский государственный технический университет Кафедра конструирования и производства радиоаппаратуры ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
На курсовой проект по учебной дисциплине “Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров”
Исполнитель – студент группы (Ф.И.О.) Руководитель – (Ф.И.О.)
ТЕМА ПРОЕКТА Разработка МСБ (название схемы)
ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ
1.Коннструкцию схемы выполнить в соответствии со схемой электрической принципиальной №…., взятой из альбома схем кафедры КиПРА.
2.Условия эксплуотации: дипазон рабочих температур-… С;
влажность-… при температуре… С в течении суток; вибрация с частотой-…Гц; максимальное ускорение-…м/с2; линейные ускорения-…м/с2; удары многократные с ускорени- ем-…; однократные-…; интенсивность отказов-…1/ч.
3.Вид производства – серийное; объем - …тыс.штук в год.
СОДЕРЖАНИЕ ПОЯСНИТЕЛЬНОЙ ЗАПИСКИ
Техническое задание. Введение. 1. Анализ технологического задания и обоснование выбора конструктивно-технологического варианта реализации микросхемы. 2. Расчет статического режима пленочных элементов. 3. Разработка топологии и конструкции микросхемы. 4. Расчет теплового режима, паразитивных связей (при необходимости) и надежности. 5. Статическая оптимизация параметров микросхемы и расчет процента выхода годных (при необходимости). Заключение. Библиографический список литературы. Приложение 1 (распечатка результатов расчетов на ЭВМ). Приложение 2 (практическая часть курсового проекта).
ИСПОЛНИТЕЛЬ_______________ РУКОВОДИ-
ТЕЛЬ_________________
107
ПРИЛОЖЕНИЕ В ПАРАМЕТРЫ И КОНСТРУКЦИИ АКТИВНЫХ И ПАССИВНЫХ
КОМПОНЕНТОВ ГИС
Таблица 1 - Миниатюрные и бескорпусные транзисторы
Тип |
Про- |
f, |
Uкб |
Ск, |
h21э |
Рк, |
Iк, мА |
Конструк- |
транзи- |
води- |
МГц |
, В |
ПФ |
|
мВт |
|
тивные |
стора |
ди- |
|
|
|
|
|
|
данные |
|
мост |
|
|
|
|
|
|
|
|
ь |
|
|
|
|
|
|
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
КТ202А |
|
|
15 |
|
15-70 |
|
|
Бескорпус- |
Б |
|
|
15 |
|
40-160 |
|
|
ный, |
В |
p-n-p |
5 |
20 |
25 |
15-70 |
15 |
10 |
рис.П.3.1 |
Г |
|
|
30 |
|
40-160 |
|
|
|
КТ307А |
|
|
|
|
20 |
|
|
Бескорпус- |
Б |
|
|
|
|
40 |
|
|
ный, |
В |
n-p-n |
250 |
10,0 |
6,0 |
40 |
15 |
20 |
рис.П.3.2 |
Г |
|
|
|
|
80 |
|
|
|
КТ319 |
|
|
|
|
30-90 |
|
|
Бескорпус- |
А |
n-p-n |
160 |
5,0 |
4,0 |
50-150 |
15 |
15 |
ный, |
Б |
|
|
|
70-280 |
|
|
рис.П.3.3 |
|
В |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ324 |
|
|
|
|
20-60 |
15 |
20 |
Бескорпус- |
А |
n-p-n |
800 |
10,0 |
2,5 |
40-120 |
|
|
ный, |
Б |
|
|
|
|
|
|
|
рис.П.3.4 |
КТ331 |
|
250 |
|
|
20-60 |
15 |
20 |
Бескорпус- |
А |
n-p-n |
250 |
15,0 |
5,0 |
40-120 |
|
|
ный, |
Б |
|
250 |
|
|
80-220 |
|
|
рис.П.3.5 |
В |
|
400 |
|
|
40-120 |
|
|
|
Г |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ332 |
n-p-n |
|
15 |
5 |
20-60 |
15 |
20 |
Бескорпус- |
А |
|
|
|
|
40-120 |
|
|
ный, |
Б |
|
300 |
|
|
80-220 |
|
|
рис.П.3.5 |
В |
|
500 |
|
|
40-120 |
|
|
|
Г |
|
|
|
|
80-220 |
|
|
|
Д |
|
|
|
|
|
|
|
|
ГТ109 А |
p-n-p |
10 |
6,0 |
30 |
20-50 |
30 |
20 |
Метали- |
Б |
|
|
|
30 |
35-80 |
|
|
ческий кор- |
В |
|
|
|
30 |
60-130 |
|
|
пус, |
Г |
|
|
|
30 |
110-250 |
|
|
рис.П.3.6 |
Д |
|
|
|
40 |
20-70 |
|
|
|
Е |
|
|
|
40 |
50-100 |
|
|
|
Ж |
|
|
|
30 |
100 |
|
|
|
И |
|
|
|
30 |
20-80 |
|
|
|
|
|
|
|
|
108 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Продолжение таблицы 1 |
9 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ГОСТ 18472 |
|
|||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Окончание таблицы 1 |
||||||||||||
ГТ310 А |
p-n-p |
160 |
10 |
4 |
20-70 |
20 |
10 |
Метали- |
|
1 |
2 |
|
3 |
|
4 |
|
5 |
|
6 |
|
7 |
|
8 |
9 |
|
||
Б |
|
160 |
|
4 |
60-180 |
|
|
ческий кор- |
|
2Т3129Г9 |
p-n-p |
100 |
30 |
5 |
|
200-250 |
200 |
100 |
-“- |
|
|||||||
В |
|
120 |
|
5 |
20-70 |
|
|
пус, |
|
2Т3130Б9 |
n-p-n |
100 |
50 |
6 |
|
200-250 |
200 |
100 |
-“- |
|
|||||||
Г |
|
120 |
|
5 |
60-180 |
|
|
рис.П.3.6 |
|
2Т3130Г9 |
n-p-n |
100 |
20 |
5 |
|
400-1000 |
200 |
100 |
-“- |
|
|||||||
Д |
|
80 |
|
5 |
20-70 |
|
|
|
|
2Т214Б9 |
p-n-p |
5 |
|
90 |
5 |
|
30-90 |
|
200 |
50 |
-“- |
|
|||||
Е |
|
80 |
|
5 |
60-180 |
|
|
|
|
2Т215Б9 |
n-p-n |
30 |
|
90 |
5 |
|
30-90 |
|
200 |
100 |
-“- |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2Т370Б9 |
p-n-p |
100 |
15 |
10 |
40-120 |
30 |
|
15 |
-“- |
|
|||||||
КТ336А |
|
250 |
|
|
20-60 |
|
|
Бескорпус- |
|
|
|
||||||||||||||||
Б |
|
250 |
|
|
40-120 |
|
|
ные, |
|
2Т368А9 |
n-p-n |
200 |
20 |
7 |
|
50-300 |
100 |
30 |
КТ-46 |
|
|||||||
В |
n-p-n |
250 |
10,0 |
5 |
80 |
50 |
20 |
рис.П.3.7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ГОСТ |
|
Г |
|
450 |
|
|
20-60 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
18472 |
|
Д |
|
450 |
|
|
40-120 |
|
|
|
|
2Т664А91 |
p-n-p |
30 |
|
120 |
5 |
|
40-250 |
300 |
1000 |
КТ-47 |
|
||||||
Е |
|
450 |
|
|
80 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ГОСТ |
|
КТ348А |
|
|
|
|
20-75 |
|
|
Бескорпус- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
18472-88 |
|
Б |
|
|
|
|
35-120 |
|
|
ные, |
|
2Т665А91 |
n-p-n |
30 |
120 |
5 |
40-250 |
1000 |
1000 |
-“- |
|
||||||||
В |
n-p-n |
100 |
5,0 |
11 |
80-250 |
15 |
15 |
рис.П.3.8 |
|
2П109А9 |
Полевой с |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Г |
|
|
|
|
25-75 |
|
|
|
|
|
|
p-n перехо- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Д |
|
|
|
|
35-120 |
|
|
|
|
|
|
дом и кана- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Е |
|
|
|
|
80-250 |
|
|
|
|
|
|
лом типа. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
КТ354 А |
|
1000 |
|
|
40-140 |
30 |
|
Бескорпус- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Б |
n-p-n |
1300 |
10,0 |
1,5 |
80-240 |
|
20 |
ные, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
рис.П.3.9 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2Т324 А |
|
|
|
|
|
15 |
20 |
Бескорпус- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Б |
|
|
|
|
|
|
|
ные, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В |
n-p-n |
800 |
5 |
2,5 |
|
|
|
рис.П.3.10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Г |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Д |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2Т317 А |
|
|
|
|
25-75 |
15 |
15 |
Бескорпус- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Б |
n-p-n |
80 |
5 |
8 |
|
|
|
ные, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В |
|
|
|
|
80-250 |
|
|
рис.П.3.10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ГТ353 А |
n-p-n |
100 |
10 |
3,5 |
15-400 |
30 |
20 |
Бескорпус- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Б, В |
|
|
|
|
|
|
|
ные, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
рис.П.3.11 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ГТ612 В |
n-p-n |
1500 |
126 |
3,5 |
|
360 |
120 |
Бескорпус- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ные, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
рис.П.3.12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2Т3128Б |
p-n-p |
100 |
50 |
5 |
80-250 |
200 |
100 |
КТ-46 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
109